電子器件是一個(gè)非常復雜的系統，其封裝過(guò)程的缺陷和失效也是非常復雜的。因此，研究封裝缺陷和失效需要對封裝過(guò)程有一個(gè)系統性的了解，這樣才能從多個(gè)角度去分析缺陷產(chǎn)生的原因。

1. 封裝缺陷與失效的研究方法論

封裝的失效機理可以分為兩類(lèi)：過(guò)應力和磨損。過(guò)應力失效往往是瞬時(shí)的、災難性的；磨損失效是長(cháng)期的累積損壞，往往首先表示為性能退化，接著(zhù)才是器件失效。失效的負載類(lèi)型又可以分為機械、熱、電氣、輻射和化學(xué)負載等。

影響封裝缺陷和失效的因素是多種多樣的， 材料成分和屬性、封裝設計、環(huán)境條件和工藝參數等都會(huì )有所影響。確定影響因素和預防封裝缺陷和失效的基本前提。影響因素可以通過(guò)試驗或者模擬仿真的方法來(lái)確定，一般多采用物理模型法和數值參數法。對于更復雜的缺陷和失效機理，常常采用試差法確定關(guān)鍵的影響因素，但是這個(gè)方法需要較長(cháng)的試驗時(shí)間和設備修正，效率低、花費高。

在分析失效機理的過(guò)程中， 采用魚(yú)骨圖（因果圖）展示影響因素是行業(yè)通用的方法。魚(yú)骨圖可以說(shuō)明復雜的原因及影響因素和封裝缺陷之間的關(guān)系，也可以區分多種原因并將其分門(mén)別類(lèi)。生產(chǎn)應用中，有一類(lèi)魚(yú)骨圖被稱(chēng)為6Ms：從機器、方法、材料、量度、人力和自然力等六個(gè)維度分析影響因素。

2. 引發(fā)失效的負載類(lèi)型

封裝的負載類(lèi)型可以分為機械、熱、電氣、輻射和化學(xué)負載。

失效機理的分類(lèi)

機械載荷：包括物理沖擊、振動(dòng)、填充顆粒在硅芯片上施加的應力（如收縮應力）和慣性力（如宇宙飛船的巨大加速度）等。材料對這些載荷的響應可能表現為彈性形變、塑性形變、翹曲、脆性或柔性斷裂、界面分層、疲勞裂縫產(chǎn)生和擴展、蠕變以及蠕變開(kāi)裂等等。

熱載荷：包括芯片黏結劑固化時(shí)的高溫、引線(xiàn)鍵合前的預加熱、成型工藝、后固化、鄰近元器件的再加工、浸焊、氣相焊接和回流焊接等等。外部熱載荷會(huì )使材料因熱膨脹而發(fā)生尺寸變化，同時(shí)也會(huì )改變蠕變速率等物理屬性。如發(fā)生熱膨脹系數失配（CTE失配）進(jìn)而引發(fā)局部應力，并最終導致封裝結構失效。過(guò)大的熱載荷甚至可能會(huì )導致器件內易燃材料發(fā)生燃燒。

電載荷：包括突然的電沖擊、電壓不穩或電流傳輸時(shí)突然的振蕩（如接地不良）而引起的電流波動(dòng)、靜電放電、過(guò)電應力等。這些外部電載荷可能導致介質(zhì)擊穿、電壓表面擊穿、電能的熱損耗或電遷移。也可能增加電解腐蝕、樹(shù)枝狀結晶生長(cháng)，引起漏電流、熱致退化等。

化學(xué)載荷：包括化學(xué)使用環(huán)境導致的腐蝕、氧化和離子表面枝晶生長(cháng)。由于濕氣能通過(guò)塑封料滲透，因此在潮濕環(huán)境下濕氣是影響塑封器件的主要問(wèn)題。被塑封料吸收的濕氣能將塑封料中的催化劑殘留萃取出來(lái)，形成副產(chǎn)物進(jìn)入芯片粘接的金屬底座、半導體材料和各種界面，誘發(fā)導致器件性能退化甚至失效。

例如，組裝后殘留在器件上的助焊劑會(huì )通過(guò)塑封料遷移到芯片表面。在高頻電路中，介質(zhì)屬性的細微變化（如吸潮后的介電常數、耗散因子等的變化）都非常關(guān)鍵。在高電壓轉換器等器件中，封裝體擊穿電壓的變化非常關(guān)鍵。此外，一些環(huán)氧聚酰胺和聚氨酯如若長(cháng)期暴露在高溫高濕環(huán)境中也會(huì )引起降解（有時(shí)也稱(chēng)為“逆轉”）。通常采用加速試驗來(lái)鑒定塑封料是否易發(fā)生該種失效。

需要注意的是，當施加不同類(lèi)型載荷的時(shí)候，各種失效機理可能同時(shí)在塑封器件上產(chǎn)生交互作用。例如，熱載荷會(huì )使封裝體結構內相鄰材料間發(fā)生熱膨脹系數失配，從而引起機械失效。其他的交互作用，包括應力輔助腐蝕、應力腐蝕裂紋、場(chǎng)致金屬遷移、鈍化層和電解質(zhì)層裂縫、濕熱導致的封裝體開(kāi)裂以及溫度導致的化學(xué)反應加速等等。在這些情況下，失效機理的綜合影響并不一定等于個(gè)體影響的總和。

3. 封裝缺陷的分類(lèi)

封裝缺陷主要包括引線(xiàn)變形、底座偏移、翹曲、芯片破裂、分層、空洞、不均勻封裝、毛邊、外來(lái)顆粒和不完全固化等。

3.1 引線(xiàn)變形

引線(xiàn)變形通常指塑封料流動(dòng)過(guò)程中引起的引線(xiàn)位移或者變形，通常采用引線(xiàn)最大橫向位移x與引線(xiàn)長(cháng)度L之間的比值x/L來(lái)表示。引線(xiàn)彎曲可能會(huì )導致電器短路（特別是在高密度I/O器件封裝中）。有時(shí)，彎曲產(chǎn)生的應力會(huì )導致鍵合點(diǎn)開(kāi)裂或鍵合強度下降。

影響引線(xiàn)鍵合的因素包括封裝設計、引線(xiàn)布局、引線(xiàn)材料與尺寸、模塑料屬性、引線(xiàn)鍵合工藝和封裝工藝等。影響引線(xiàn)彎曲的引線(xiàn)參數包括引線(xiàn)直徑、引線(xiàn)長(cháng)度、引線(xiàn)斷裂載荷和引線(xiàn)密度等等。

3.2 底座偏移

底座偏移指的是支撐芯片的載體（芯片底座）出現變形和偏移。

影響底座偏移的因素包括塑封料的流動(dòng)性、引線(xiàn)框架的組裝設計以及塑封料和引線(xiàn)框架的材料屬性。薄型小尺寸封裝（TSOP）和薄型方形扁平封裝（TQFP）等封裝器件由于引線(xiàn)框架較薄，容易發(fā)生底座偏移和引腳變形。

3.3 翹曲

翹曲是指封裝器件在平面外的彎曲和變形。因塑封工藝而引起的翹曲會(huì )導致如分層和芯片開(kāi)裂等一系列的可靠性問(wèn)題。

翹曲也會(huì )導致一系列的制造問(wèn)題，如在塑封球柵陣列（PBGA）器件中，翹曲會(huì )導致焊料球共面性差，使器件在組裝到印刷電路板的回流焊過(guò)程中發(fā)生貼裝問(wèn)題。

翹曲模式包括內凹、外凸和組合模式三種。在半導體公司中，有時(shí)候會(huì )把內凹稱(chēng)為“笑臉”，外凸稱(chēng)為“哭臉”。導致翹曲的原因主要包括CTE失配和固化/壓縮收縮。后者一開(kāi)始并沒(méi)有受到太多的關(guān)注，深入研究發(fā)現，模塑料的化學(xué)收縮在IC器件的翹曲中也扮演著(zhù)重要角色，尤其是在芯片上下兩側厚度不同的封裝器件上。

在固化和后固化的過(guò)程中，塑封料在高固化溫度下將發(fā)生化學(xué)收縮，被稱(chēng)為“熱化學(xué)收縮”。通過(guò)提高玻璃化轉變溫度和降低Tg附近的熱膨脹系數變化，可以減小固化過(guò)程中發(fā)生的化學(xué)收縮。

導致翹曲的因素還包括諸如塑封料成分、模塑料濕氣、封裝的幾何結構等。通過(guò)對塑封材料和成分、工藝參數、封裝結構和封裝前環(huán)境的把控，可以將封裝翹曲降低到最小。在某些情況下，可以通過(guò)封裝電子組件的背面來(lái)進(jìn)行翹曲的補償。例如，大陶瓷電路板或多層板的外部連接位于同一側，對他們進(jìn)行背面封裝可以減小翹曲。

3.4 芯片破裂

封裝工藝中產(chǎn)生的應力會(huì )導致芯片破裂。封裝工藝通常會(huì )加重前道組裝工藝中形成的微裂縫。晶圓或芯片減薄、背面研磨以及芯片粘結都是可能導致芯片裂縫萌生的步驟。

破裂的、機械失效的芯片不一定會(huì )發(fā)生電氣失效。芯片破裂是否會(huì )導致器件的瞬間電氣失效還取決于裂縫的生長(cháng)路徑。例如，若裂縫出現在芯片的背面，可能不會(huì )影響到任何敏感結構。

因為硅晶圓比較薄且脆，晶圓級封裝更容易發(fā)生芯片破裂。因此，必須嚴格控制轉移成型工藝中的夾持壓力和成型轉換壓力等工藝參數，以防止芯片破裂。3D堆疊封裝中因疊層工藝而容易出現芯片破裂。在3D封裝中影響芯片破裂的設計因素包括芯片疊層結構、基板厚度、模塑體積和模套厚度等。

3.5 分層

分層或粘結不牢指的是在塑封料和其相鄰材料界面之間的分離。分層位置可能發(fā)生在塑封微電子器件中的任何區域；同時(shí)也可能發(fā)生在封裝工藝、后封裝制造階段或者器件使用階段。

封裝工藝導致的不良粘接界面是引起分層的主要因素。界面空洞、封裝時(shí)的表面污染和固化不完全都會(huì )導致粘接不良。其他影響因素還包括固化和冷卻時(shí)收縮應力與翹曲。在冷卻過(guò)程中，塑封料和相鄰材料之間的CTE不匹配也會(huì )導致熱-機械應力，從而導致分層。

3.6 空洞

封裝工藝中，氣泡嵌入環(huán)氧材料中形成了空洞，空洞可以發(fā)生在封裝工藝過(guò)程中的任意階段，包括轉移成型、填充、灌封和塑封料至于空氣環(huán)境下的印刷。通過(guò)最小化空氣量，如排空或者抽真空，可以減少空洞。有報道采用的真空壓力范圍為1~300Torr（一個(gè)大氣壓為760Torr）。

填模仿真分析認為，是底部熔體前沿與芯片接觸，導致了流動(dòng)性受到阻礙。部分熔體前沿向上流動(dòng)并通過(guò)芯片外圍的大開(kāi)口區域填充半模頂部。新形成的熔體前沿和吸附的熔體前沿進(jìn)入半模頂部區域，從而形成起泡。

3.7 不均勻封裝

非均勻的塑封體厚度會(huì )導致翹曲和分層。傳統的封裝技術(shù)，諸如轉移成型、壓力成型和灌注封裝技術(shù)等，不易產(chǎn)生厚度不均勻的封裝缺陷。晶圓級封裝因其工藝特點(diǎn)，而特別容易導致不均勻的塑封厚度。

為了確保獲得均勻的塑封層厚度，應固定晶圓載體使其傾斜度最小以便于刮刀安裝。此外，需要進(jìn)行刮刀位置控制以確保刮刀壓力穩定，從而得到均勻的塑封層厚度。

在硬化前，當填充粒子在塑封料中的局部區域聚集并形成不均勻分布時(shí)，會(huì )導致不同質(zhì)或不均勻的材料組成。塑封料的不充分混合將會(huì )導致封裝灌封過(guò)程中不同質(zhì)現象的發(fā)生。

3.8 毛邊

毛邊是指在塑封成型工藝中通過(guò)分型線(xiàn)并沉積在器件引腳上的模塑料。

夾持壓力不足是產(chǎn)生毛邊的主要原因。如果引腳上的模料殘留沒(méi)有及時(shí)清除，將導致組裝階段產(chǎn)生各種問(wèn)題。例如，在下一個(gè)封裝階段中鍵合或者黏附不充分。樹(shù)脂泄漏是較稀疏的毛邊形式。

3.9 外來(lái)顆粒

在封裝工藝中，封裝材料若暴露在污染的環(huán)境、設備或者材料中，外來(lái)粒子就會(huì )在封裝中擴散并聚集在封裝內的金屬部位上（如IC芯片和引線(xiàn)鍵合點(diǎn)），從而導致腐蝕和其他的后續可靠性問(wèn)題。

3.10 不完全固化

固化時(shí)間不足或者固化溫度偏低都會(huì )導致不完全固化。另外，在兩種封裝料的灌注中，混合比例的輕微偏移都將導致不完全固化。為了最大化實(shí)現封裝材料的特性，必須確保封裝材料完全固化。在很多封裝方法中，允許采用后固化的方法確保封裝材料的完全固化。而且要注意保證封裝料比例的精確配比。

4. 封裝失效的分類(lèi)

在封裝組裝階段或者器件使用階段，都會(huì )發(fā)生封裝失效。特別是當封裝微電子器件組裝到印刷電路板上時(shí)更容易發(fā)生，該階段器件需要承受高的回流溫度，會(huì )導致塑封料界面分層或者破裂。

4.1 分層

如上一節所述，分層是指塑封材料在粘接界面處與相鄰的材料分離?？赡軐е路謱拥耐獠枯d荷和應力包括水汽、濕氣、溫度以及它們的共同作用。

在組裝階段常常發(fā)生的一類(lèi)分層被稱(chēng)為水汽誘導（或蒸汽誘導）分層，其失效機理主要是相對高溫下的水汽壓力。在封裝器件被組裝到印刷電路板上的時(shí)候，為使焊料融化溫度需要達到220℃甚至更高，這遠高于模塑料的玻璃化轉變溫度（約110~200℃）。

在回流高溫下，塑封料與金屬界面之間存在的水汽蒸發(fā)形成水蒸氣，產(chǎn)生的蒸汽壓與材料間熱失配、吸濕膨脹引起的應力等因素共同作用，最終導致界面粘接不牢或分層，甚至導致封裝體的破裂。無(wú)鉛焊料相比傳統鉛基焊料，其回流溫度更高，更容易發(fā)生分層問(wèn)題。

吸濕膨脹系數（CHE），又稱(chēng)濕氣膨脹系數（CME）

濕氣擴散到封裝界面的失效機理是水汽和濕氣引起分層的重要因素。濕氣可通過(guò)封裝體擴散，或者沿著(zhù)引線(xiàn)框架和模塑料的界面擴散。研究發(fā)現，當模塑料和引線(xiàn)框架界面之間具有良好粘接時(shí)，濕氣主要通過(guò)塑封體進(jìn)入封裝內部。

但是，當這個(gè)粘結界面因封裝工藝不良（如鍵合溫度引起的氧化、應力釋放不充分引起的引線(xiàn)框架翹曲或者過(guò)度修剪和形式應力等）而退化時(shí)，在封裝輪廓上會(huì )形成分層和微裂縫，并且濕氣或者水汽將易于沿這一路徑擴散。

更糟糕的是，濕氣會(huì )導致極性環(huán)氧黏結劑的水合作用，從而弱化和降低界面的化學(xué)鍵合。

表面清潔是實(shí)現良好粘結的關(guān)鍵要求。表面氧化常常導致分層的發(fā)生（如上一篇中所提到的例子），如銅合金引線(xiàn)框架暴露在高溫下就常常導致分層。氮氣或其他合成氣體的存在，有利于避免氧化。

模塑料中的潤滑劑和附著(zhù)力促進(jìn)劑會(huì )促進(jìn)分層。潤滑劑可以幫助模塑料與模具型腔分離，但會(huì )增加界面分層的風(fēng)險。另一方面，附著(zhù)力促進(jìn)劑可以確保模塑料和芯片界面之間的良好粘結，但卻難以從模具型腔內清除。

分層不僅為水汽擴散提供了路徑，也是樹(shù)脂裂縫的源頭。分層界面是裂縫萌生的位置，當承受交大外部載荷的時(shí)候，裂縫會(huì )通過(guò)樹(shù)脂擴展。研究表明，發(fā)生在芯片底座地面和樹(shù)脂之間的分層最容易引起樹(shù)脂裂縫，其它位置出現的界面分層對樹(shù)脂裂縫的影響較小。

4.2 氣相誘導裂縫（爆米花現象）

水汽誘導分層進(jìn)一步發(fā)展會(huì )導致氣相誘導裂縫。當封裝體內水汽通過(guò)裂縫逃逸時(shí)會(huì )產(chǎn)生爆裂聲，和爆米花的聲音非常像，因此又被稱(chēng)為爆米花現象。裂縫常常從芯片底座向塑封底面擴展。

在焊接后的電路板中，外觀(guān)檢查難以發(fā)現這些裂縫。QFP和TQFP等大而薄的塑封形式最容易產(chǎn)生爆米花現象；此外也容易發(fā)生在芯片底座面積與器件面積之比較大、芯片底座面積與最小塑封料厚度之比較大的的器件中。爆米花現象可能會(huì )伴隨其他問(wèn)題，包括鍵合球從鍵合盤(pán)上斷裂以及鍵合球下面的硅凹坑等。

塑封器件內的裂縫通常起源于引線(xiàn)框架上的應力集中區（如邊緣和毛邊），并且在最薄塑封區域內擴展。毛邊是引線(xiàn)框架表面在沖壓工藝中產(chǎn)生的小尺寸變形，改變沖壓方向使毛邊位于引線(xiàn)框架頂部，或者刻蝕引線(xiàn)框架（模壓）都可以減少裂縫。

減少塑封器件內的濕氣是降低爆米花現象的關(guān)鍵。常采用高溫烘烤的方法減少塑封器件內的濕氣。前人研究發(fā)現，封裝內允許的安全濕氣含量約為1100×10^-6（0.11 wt.%)。在125℃下烘烤24h，可以充分去除封裝內吸收的濕氣。

4.3 脆性斷裂

脆性斷裂經(jīng)常發(fā)生在低屈服強度和非彈性材料中（如硅芯片）。到材料受到過(guò)應力作用時(shí)，突然的、災難性的裂縫擴展會(huì )起源于如空洞、夾雜物或不連續等微小缺陷。

4.4 韌性斷裂

塑封材料容易發(fā)生脆性和韌性?xún)煞N斷裂模式，主要取決于環(huán)境和材料因素，包括溫度、聚合樹(shù)脂的黏塑特性和填充載荷。即使在含有脆性硅填料的高加載塑封材料中，因聚合樹(shù)脂的黏塑特性，仍然可能發(fā)生韌性斷裂。

4.5 疲勞斷裂

塑封料遭受到極限強度范圍內的周期性應力作用時(shí)，會(huì )因累積的疲勞斷裂而斷裂。施加到塑封材料上的濕、熱、機械或綜合載荷，都會(huì )產(chǎn)生循環(huán)應力。疲勞失效是一種磨損失效機理，裂縫一般會(huì )在間斷點(diǎn)或缺陷位置萌生。

疲勞斷裂機理包括三個(gè)階段：裂紋萌生（階段Ⅰ）；穩定的裂縫擴展（階段Ⅱ）；突發(fā)的、不確定的、災難性失效（階段Ⅲ）。在周期性應力下，階段Ⅱ的疲勞裂縫擴展指的是裂縫長(cháng)度的穩定增長(cháng)。塑封材料的裂紋擴展速率要遠高于金屬材料疲勞裂縫擴展的典型值（約3倍）。

5. 加速失效的因素

環(huán)境和材料的載荷和應力，如濕氣、溫度和污染物，會(huì )加速塑封器件的失效。塑封工藝正在封裝失效中起到了關(guān)鍵作用，如濕氣擴散系數、飽和濕氣含量、離子擴散速率、熱膨脹系數和塑封材料的吸濕膨脹系數等特性會(huì )極大地影響失效速率。導致失效加速的因素主要有潮氣、溫度、污染物和溶劑性環(huán)境、殘余應力、自然環(huán)境應力、制造和組裝載荷以及綜合載荷應力條件。

潮氣 能加速塑封微電子器件的分層、裂縫和腐蝕失效。在塑封器件中， 潮氣是一個(gè)重要的失效加速因子。與潮氣導致失效加速有關(guān)的機理包括粘結面退化、吸濕膨脹應力、水汽壓力、離子遷移以及塑封料特性改變等等。潮氣能夠改變塑封料的玻璃化轉變溫度Tg、彈性模量和體積電阻率等特性。

溫度 是另一個(gè)關(guān)鍵的失效加速因子，通常利用與模塑料的玻璃化轉變溫度、各種材料的熱膨脹洗漱以及由此引起的熱-機械應力相關(guān)的溫度等級來(lái)評估溫度對封裝失效的影響。溫度對封裝失效的另一個(gè)影響因素表現在會(huì )改變與溫度相關(guān)的封裝材料屬性、濕氣擴散系數和金屬間擴散等失效。

污染物和溶劑性環(huán)境 污染物為失效的萌生和擴展提供了場(chǎng)所，污染源主要有大氣污染物、濕氣、助焊劑殘留、塑封料中的不潔凈例子、熱退化產(chǎn)生的腐蝕性元素以及芯片黏結劑中排出的副產(chǎn)物（通常為環(huán)氧）。塑料封裝體一般不會(huì )被腐蝕，但是濕氣和污染物會(huì )在塑封料中擴散并達到金屬部位，引起塑封器件內金屬部分的腐蝕。

殘余應力 芯片粘結會(huì )產(chǎn)生單于應力。應力水平的大小，主要取決于芯片粘接層的特性。由于模塑料的收縮大于其他封裝材料， 因此模塑成型時(shí)產(chǎn)生的應力是相當大的?？梢圆捎脩y試芯片來(lái)測定組裝應力。

自然環(huán)境應力 在自然環(huán)境下，塑封料可能會(huì )發(fā)生降解。降解的特點(diǎn)是聚合鍵的斷裂，常常是固體聚合物轉變成包含單體、二聚體和其他低分子量種類(lèi)的黏性液體。升高的溫度和密閉的環(huán)境常常會(huì )加速降解。陽(yáng)光中的紫外線(xiàn)和大氣臭氧層是降解的強有力催化劑，可通過(guò)切斷環(huán)氧樹(shù)脂的分子鏈導致降解。將塑封器件與易誘發(fā)降解的環(huán)境隔離、采用具有抗降解能力的聚合物都是防止降解的方法。需要在濕熱環(huán)境下工作的產(chǎn)品要求采用抗降解聚合物。

制造和組裝載荷 制造和組裝條件都有可能導致封裝失效，包括高溫、低溫、溫度變化、操作載荷以及因塑封料流動(dòng)而在鍵合引線(xiàn)和芯片底座上施加的載荷。進(jìn)行塑封器件組裝時(shí)出現的爆米花現象就是一個(gè)典型的例子。

綜合載荷應力條件 在制造、組裝或者操作的過(guò)程中，諸如溫度和濕氣等失效加速因子常常是同時(shí)存在的。綜合載荷和應力條件常常會(huì )進(jìn)一步加速失效。這一特點(diǎn)常被應用于以缺陷部件篩選和易失效封裝器件鑒別為目的的加速試驗設計。