臺灣在取得晶圓代工、封裝以及IC設計等領(lǐng)域的驕人成績(jì)之后，開(kāi)始尋求在存儲器上突破，以期復制日本和韓國成功的模式——80年代日本追趕美國，90年代韓國追趕日本。從2004年到2008年，開(kāi)始重金投資存儲器，但最后遭到了失敗。如今，大陸企業(yè)在政府的支持下，四處投資建廠(chǎng)，建設國家存儲器基地，而臺灣存儲器的失敗對正在發(fā)展存儲器的我們有何啟示呢？

一、存儲器業(yè)不適合采用代工模式

存儲器業(yè)有個(gè)特點(diǎn)，工藝制程轉變快，緊跟摩爾定律。在產(chǎn)品設計上相對比較簡(jiǎn)單，無(wú)多大差異，在12寸晶圓中，在相同的產(chǎn)品、工藝制程和成品率情況下，90nm與70nm制程在每片晶圓上產(chǎn)出的芯片數量分別為750-1050個(gè)及1350-1420個(gè)，成本差距達40％以上。所以，加快工藝制程的轉進(jìn)是非常重要的。在晶圓廠(chǎng)中，月產(chǎn)能大的IDM廠(chǎng)運營(yíng)成本要比產(chǎn)能小的代工廠(chǎng)，當產(chǎn)能足夠大時(shí)，一來(lái)代工廠(chǎng)擔心未來(lái)訂單不足而猶豫擴充產(chǎn)能，同時(shí)那些IDM廠(chǎng)又擔心代工廠(chǎng)會(huì )與自己爭奪客戶(hù)。另外，從根本上那些IDM廠(chǎng)也不可能把最先進(jìn)制程的產(chǎn)品交給代工廠(chǎng)，所以存儲器不適合采用代工模式。

二、掌握自主技術(shù)

臺灣存儲器的失敗最重要的原因就是缺乏自主技術(shù)，過(guò)多的依賴(lài)國外技術(shù)，例如力晶與爾必達，茂德與海力士及華亞科與奇夢(mèng)達（現在的美光），都沒(méi)有自己應有的技術(shù)，目前大陸的存儲器技術(shù)力量還比較薄弱，這是必須加強的地方。

三、準確判斷市場(chǎng)前景

臺灣花重金投資存儲器，很大的因素是預估到Vista操作系統的普及、全球服務(wù)器和數據處理中心中存儲器的更替以及筆記本和移動(dòng)多媒體中SSD的推廣，市場(chǎng)前景不錯，但最終由于種種原因，市場(chǎng)的并沒(méi)有預期的好，導致臺存儲器損失慘重。大陸在發(fā)展存儲器時(shí)，要注意了解市場(chǎng)需求，盡管智能時(shí)代的來(lái)臨，市場(chǎng)前景不錯，但仍要避免盲目投資，出現供過(guò)于求的情況。

如今存儲器領(lǐng)域市場(chǎng)已經(jīng)被韓國的三星和海力士占據，大陸存儲器的發(fā)展必然會(huì )引起這兩巨頭的遏制，發(fā)展的道路注定不平坦。要想打破它們的封鎖，還需吸取臺灣失敗的教訓，避免走臺灣的老路，同時(shí)加強自身的技術(shù)力量。