集邦表示，明年NAND將實(shí)現供需平衡。2016年以來(lái)，NAND連續六個(gè)季度供不應求。目前預計NAND供應增長(cháng)率為42.9％，而需求增長(cháng)率預計為37.7％。

集邦的Alan Chen表示：“2017年，NAND閃存供應緊張的主要原因是”從二維NAND到3D-NAND制造業(yè)向非三星供應商過(guò)渡的進(jìn)展遇到瓶頸“，”由于非三星供應商力圖改進(jìn)其3D-NAND生產(chǎn)流程，因此造成產(chǎn)能的下降。同時(shí)，供應商也無(wú)法有效利用他們所承擔的額外生產(chǎn)能力?！?/p>

供應量的增加是因為非三星供應商預計在2018年將開(kāi)發(fā)其各自的64層和72層堆疊技術(shù)，并越來(lái)越成熟。

因為海力士，東芝和美光/英特爾增加了3D NAND的容量，因此，預計2018年NAND-NAND的占有率將超過(guò)70％，高于2017年的50％。

三星在第三季度開(kāi)始64層NAND的生產(chǎn)，將保持NAND技術(shù)的領(lǐng)先地位。