IC Insights表示，2017年預計超過(guò)809億美元資本支出將用于代工廠(chǎng)（28％）和NAND閃存升級（24％）。

2017年預計增長(cháng)53％，DRAM價(jià)格自2016年第三季度開(kāi)始上漲，DRAM / SRAM業(yè)務(wù)板塊預計今年主要產(chǎn)品類(lèi)型的資本支出增幅最大。

隨著(zhù)DRAM價(jià)格自2016年第三季度開(kāi)始上漲，DRAM廠(chǎng)商再次加大了對這一領(lǐng)域的支出。

盡管大部分支出正在向技術(shù)進(jìn)步發(fā)展，但DRAM生產(chǎn)商SK Hynix最近承認，僅憑技術(shù)進(jìn)步就無(wú)法跟上需求，而是需要開(kāi)始增加晶圓啟動(dòng)能力。

即使今年的DRAM消費激增，2017年閃存的資本支出（190億美元）仍將遠遠高于分配給DRAM / SRAM類(lèi)別（130億美元）的支出。

總體而言，IC Insights認為，2017年的閃存基本上都將用于3D NAND處理技術(shù)，包括在韓國平澤的三星巨型新晶圓廠(chǎng)生產(chǎn)3D NAND。

閃存部分的資本支出預計在2017年將錄得33％的激增，但在2016年強勁增長(cháng)23％之后，記憶市場(chǎng)的歷史先例表明，太多的支出通常會(huì )導致產(chǎn)能過(guò)剩和隨后的定價(jià)弱點(diǎn)。

隨著(zhù)三星，SK海力士，美光，英特爾，東芝/西部數據/ SanDisk和XMC /長(cháng)江存儲技術(shù)都計劃在未來(lái)幾年內大幅提升3D NAND閃存容量（新中國生產(chǎn)商可能進(jìn)入市場(chǎng)） IC Insights認為，面對3D NAND閃存市場(chǎng)需求的未來(lái)風(fēng)險很高，而且日益增長(cháng)。