中國半導體的兩大國家隊武漢新芯與紫光集團傳將聯(lián)手，并可能獲得大廠(chǎng)美光（Micron）的技術(shù)授權，采取“華亞科”模式，大舉進(jìn)軍NAND Flash記憶體領(lǐng)域。

根據科技新報和集微網(wǎng)報導，主攻記憶體制造的武漢新芯將與主攻上游IC設計的紫光集團將共同發(fā)展記憶體產(chǎn)業(yè)，因為武漢新芯在武漢的新廠(chǎng)正在動(dòng)工建設，計畫(huà)月產(chǎn)能最高達到100萬(wàn)片，雙方聯(lián)手將節省紫光集團從頭開(kāi)始的時(shí)間。

更有消息指出，武漢新芯與紫光正在向美光洽談技術(shù)授權事宜，有望以“華亞科模式”，大舉加快中國的半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展速度。

所謂華亞科模式，就是由美光提供技術(shù)，并由合作方出資建廠(chǎng)，讓美光在沒(méi)有額外支出的情況下就可以收取授權金與相關(guān)分紅。

市場(chǎng)人士認為，紫光與武漢新芯的整合，不僅在生產(chǎn)團隊、既有半導體廠(chǎng)基礎、IC設計團隊、民間資金、國家基金都產(chǎn)生更大的實(shí)力，也加大了跟技術(shù)授權來(lái)源美光的談判優(yōu)勢。而且華亞科的前董事長(cháng)高啟全在去年就已經(jīng)加入紫光團隊，對于與美光的合作模式知之甚詳，要在武漢重新復制的可行性很高。

武漢新芯目前在NAND Flash領(lǐng)域已取得飛索（Spansion）半導體的授權，預估要在2017年才有望量產(chǎn)32層堆疊的產(chǎn)品，但對手的技術(shù)層次已達到48層。而美光目前在3D NAND Flash的技術(shù)上稍落后于三星、SK海力士等廠(chǎng)商，但如果加上武漢新芯與紫光的雄厚財力，就可望縮短技術(shù)差距。

紫光在去年就想要與SK海力士共同研發(fā)NAND Flash技術(shù)，甚至愿意出資約53億美元來(lái)入股SK海力士在中國建立新產(chǎn)線(xiàn)，市場(chǎng)盛傳牽線(xiàn)的關(guān)鍵人物就是前華亞科董事長(cháng)、現任職于紫光的高啟全。不過(guò)該合作案遭到SK海力士婉拒，只好讓紫光轉向美光。

在SSD需求穩定成長(cháng)下，發(fā)展NAND Flash技術(shù)已是大勢所趨。紫光集團董事長(cháng)趙偉國曾在今年5月透露，該公司將投資300億美元主攻儲存用的半導體晶片制造，有望成中國最大儲存記憶體投資項目。