中國半導體廠(chǎng)商大手筆投資存儲器產(chǎn)業(yè)不斷完善制造端，隨著(zhù)紫光國芯+武漢新芯的產(chǎn)能擴張，及國際廠(chǎng)如三星、英特爾增加產(chǎn)能，預估2020年中國大陸國內Flash月產(chǎn)能相較于2015年增長(cháng)近7倍……

中國大陸廠(chǎng)商在NAND Flash產(chǎn)業(yè)鏈的相關(guān)布局與投資不斷開(kāi)展，成為中國大陸半導體業(yè)揮軍全球的下一波焦點(diǎn)。TrendForce旗下拓墣產(chǎn)業(yè)研究所最新研究報告顯示，隨著(zhù)紫光國芯（原同方國芯）投資、武漢新芯擴廠(chǎng)，及國際廠(chǎng)如三星、英特爾增加產(chǎn)能，預估2020年中國大陸國內Flash月產(chǎn)能達59萬(wàn)片，相較于2015年增長(cháng)近7倍。

TrendForce預估2012~2016年NAND Flash生產(chǎn)端年平均位元增長(cháng)率達47%，其最終消費端需求年平均位增長(cháng)率亦高達46%，顯示NAND Flash仍為高速發(fā)展產(chǎn)業(yè)。拓墣研究經(jīng)理林建宏表示，中國大陸在突破內存自制缺口的政策方針下發(fā)展Flash晶圓制造，可由NAND Flash產(chǎn)品特性、3D NAND需求、新興市場(chǎng)的增長(cháng)空間、及國際半導體大廠(chǎng)在中國大陸投資四大方向切入。

NAND Flash產(chǎn)品特性（資金成本）：

產(chǎn)品在消費性應用下，價(jià)格是主要考慮，因此生產(chǎn)成本的控制至為關(guān)鍵。中國大陸廠(chǎng)商宜透過(guò)折舊認列年限調整、租賃、稅負與資金成本等因素操作為切入點(diǎn)。

3D NAND需求（制程微縮）：

Flash在進(jìn)入2x納米后，制程微縮帶來(lái)的成本優(yōu)勢越來(lái)越不明顯，延遲了國際Flash大廠(chǎng)技術(shù)進(jìn)程，因此3D-NAND Flash成為成本繼續降低的重要方法。林建宏指出，產(chǎn)品由2D到3D，需有新的技術(shù)領(lǐng)域加入，若能整合跨領(lǐng)域人才和技術(shù)，便能成為中國大陸廠(chǎng)商追趕的機會(huì )。

新興市場(chǎng)增長(cháng)空間：

雖然Flash產(chǎn)業(yè)短期仍處于供過(guò)于求，但長(cháng)期而言新興市場(chǎng)仍有增長(cháng)空間。中國大陸采用“一帶一路”政策發(fā)展的策略，對開(kāi)發(fā)其周遭新興市場(chǎng)需求有相當幫助，妥善安排資源與發(fā)揮對新興國家的影響力，將是中國大陸獨有的優(yōu)勢所在。

4半導體大廠(chǎng)在中國大陸投資（人力與市場(chǎng)）：

國際半導體廠(chǎng)商積極投入中國大陸，在當地培養有經(jīng)驗和技術(shù)的人才，支持廠(chǎng)房運維的高度需求，有助降低中國大陸發(fā)展自主Flash制造的門(mén)檻。中國大陸透過(guò)廣大的人力和市場(chǎng)成功吸引國際廠(chǎng)商的進(jìn)駐，為中國大陸發(fā)展Flash產(chǎn)業(yè)帶來(lái)最好機會(huì )。