近期5座12寸晶圓廠(chǎng)競相上馬，引發(fā)投資者對存儲器產(chǎn)業(yè)的高度關(guān)注。業(yè)內資深人士表示，首先這對中國半導體產(chǎn)業(yè)絕對是好事情，在新的需求和技術(shù)下，“大干快上”的投資將極大地促進(jìn)中國存儲器產(chǎn)業(yè)發(fā)展；但鑒于存儲器重投資、盈利周期長(cháng)等特點(diǎn)，國家對該產(chǎn)業(yè)的頂層設計規劃就顯得尤為重要，“政績(jì)工程”匆忙上馬不僅造成投資浪費，還可能貽誤產(chǎn)業(yè)發(fā)展機遇。

扎堆上馬項目

3月的最后一周似乎可以寫(xiě)入中國存儲器產(chǎn)業(yè)歷史，4座12寸晶圓廠(chǎng)投資計劃接踵出爐：江蘇淮安的德科瑪12寸CMOS影像傳感器項目、武漢新芯二期12寸存儲器項目、臺積電與南京市政府正式簽約12寸廠(chǎng)、美國萬(wàn)代半導體（AOS）12寸MOSFET功率半導體項目；此外，紫光集團預計將在深圳建12寸晶圓廠(chǎng)。

存儲器“大干快上”是好是壞？有業(yè)內資深人士表示，5大項目同時(shí)上馬看似“大躍進(jìn)”，但對中國存儲產(chǎn)業(yè)來(lái)說(shuō)絕對是好事情?！坝型顿Y、有人做、才有可能成就產(chǎn)業(yè)，而存儲新技術(shù)的發(fā)展給了中國追趕的機會(huì )，這5家公司不可能都成功，但一定會(huì )有1-2家比較靠譜?！痹撊耸咳绱苏f(shuō)，隨著(zhù)技術(shù)的發(fā)展，各種新型存儲技術(shù)進(jìn)入“百花齊放”階段，中國在3D-NAND等新領(lǐng)域有可能迎頭趕上。

此外，有投資人士表示，中國在存儲產(chǎn)業(yè)的重金投資或將改變存儲產(chǎn)業(yè)發(fā)展格局，屆時(shí)，基礎存儲芯片價(jià)格將大幅下降，刺激各種方案誕生，從而引發(fā)連鎖反應，活絡(luò )經(jīng)濟；配合5G應用，將極大地成就物聯(lián)網(wǎng)產(chǎn)業(yè)。

亟須頂層規劃

五大項目聯(lián)袂上馬也引發(fā)了業(yè)界對于存儲器產(chǎn)業(yè)是否會(huì )重蹈光伏產(chǎn)業(yè)覆轍的大討論。對此，上述業(yè)內人士表示，產(chǎn)能過(guò)剩只是表面現象，事實(shí)上按照目前國內半導體對存儲芯片的需求以及增長(cháng)率，即便全部產(chǎn)能釋放也還是嚴重供需不平衡。

全球半導體市場(chǎng)在中國，但晶圓產(chǎn)能?chē)乐氐箳?。相關(guān)數據顯示，2015年全球晶圓月產(chǎn)能約1635萬(wàn)片，中國月產(chǎn)能僅159萬(wàn)片，占比僅9.7%；而其中28nm以下的先進(jìn)工藝產(chǎn)能僅中芯國際有出貨，占比更是少之又少；即便5條線(xiàn)滿(mǎn)產(chǎn)也不過(guò)月增加100多萬(wàn)片的產(chǎn)能，遠低于市場(chǎng)需求。

但是，產(chǎn)能不會(huì )過(guò)剩并不意味著(zhù)就可以毫無(wú)顧忌地大干快上，半導體尤其是存儲器投資的頂層規劃不可缺失。上述人士表示。集成電路尤其是存儲器是顯著(zhù)的重投資、盈利周期長(cháng)的產(chǎn)業(yè)，更需要頂層規劃，在充分論證后再上馬項目。芯謀研究半導體產(chǎn)業(yè)總監王笑龍在談及武漢新芯二期項目時(shí)表示投資存儲要做好至少5年內不盈利的心理準備。

“政企合作”模式固然不失為好路子，但也要防止為“政績(jì)”而匆忙上馬項目，否則不僅造成投資浪費，還可能貽誤產(chǎn)業(yè)發(fā)展機遇?！斑@5座12寸晶圓廠(chǎng)，是否有作為政績(jì)硬上馬的？”有業(yè)內人士表達了這樣的質(zhì)疑；事實(shí)上，這也正是業(yè)內擔心存儲器成為下一個(gè)光伏的原因。畢竟，在上一輪半導體大扶持中，重慶與臺灣茂德于2007年聯(lián)手打造的8寸廠(chǎng)渝德科技長(cháng)期深陷泥淖，3年累計虧損高達38億臺幣，重慶市政府幾經(jīng)斡旋，才于2011年以1億元的價(jià)格出售給中航工業(yè)旗下的中航航空電子系統有限責任公司。